お知らせ
2026.09.28
第216回電子セラミック・プロセス研究会において、現在開発を進めている「高周波信号損失を抑制した非磁性スルファミン酸Ni-P合金めっき」に関する開発状況を発表いたします。皆様のご来場・ご聴講を心よりお待ちしております。
コネクターや配線分野では、導電層の下地層や保護層にNiめっきが広く使用されています。しかし、6G以上の次世代高速通信では、Ni層の磁性に由来する高周波での信号損失が大きな課題となっています。
対策として、硫酸ニッケルベースの非磁性Ni-P合金めっきが提案されていますが、めっき速度の遅さや導電層の未着といった課題があり、普及は進んでいないのが現状です。
本講演では、弊社が現在開発中の「非磁性スルファミン酸Ni-P合金めっき」について、上記課題に対する解決の進捗状況と、これまでに得られた検証データをご報告します。開発途上の技術ではありますが、次世代通信部材の課題解決に向けた最新の知見を共有いたします。
詳細は第216回電子セラミック・プロセス研究会公式ページをご覧ください。
● 技術レポート「非磁性ニッケル－リン合金めっき～スルファミン酸ニッケル浴での開発～」はこちら
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